| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 500mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 60pF @ 10V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BSH201.215 |
|
|
NXP
|
133
|
21.00
|
|
|
|
|
BSH201.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BSH201.215 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
 |
BZV55-C6V8 |
|
|
DC COMPONENTS
|
14 734
|
2.06
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
-
|
40
|
9.60
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
NXP
|
6 070
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
KINGTRON
|
1 289
|
1.84
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
EIC
|
913
|
1.21
|
|
 |
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
DC COMPONENTS
|
30 928
|
2.04
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
ARK
|
30 034
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
NEXPERIA
|
8 524
|
1.11
|
|
|
|
|
L9637D013TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
L9637D013TR |
|
|
|
|
165.80
|
|
|
|
|
L9637D013TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
L9637D013TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L9637D013TR |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L9637D013TR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
429
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
9 775
|
41.40
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
32
|
59.29
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
24 684
|
48.30
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 760
|
113.65
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
Версия для печати
