| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DC COMPONENTS
|
47 963
|
1.77
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DIOTEC
|
4 510
|
1.48
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIC
|
4
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
5 698
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
|
63 340
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YJ
|
2 128
|
1.06
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SUNTAN
|
280
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIG
|
7 920
|
1.06
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PANJIT
|
22
|
1.07
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ЛЕНТА/КАТУШКА
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
WUXI XUYANG
|
4 838
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SEMTECH
|
16 123
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
6
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
DC COMPONENTS
|
2 785
|
1.64
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
-
|
40
|
9.70
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
NXP
|
6 070
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
KINGTRON
|
1 265
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
EIC
|
293
|
1.11
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
KEEN SIDE
|
17 504
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
NXP(PHILIPS)
|
1 195
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
367
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
DC COMPONENTS
|
855
|
1.88
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
ARK
|
30 034
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
NEXPERIA
|
2 524
|
1.06
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
KEEN SIDE
|
13 952
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
3155
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
37543
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ONS
|
2 116
|
4.35
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
|
|
18.40
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
VBSEMI
|
9 070
|
3.20
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
8 957
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
18 748
|
50.88
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 240
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|