|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | 4000B |
| Тип | Decoder |
| Каналы | 1 x 4:10 |
| Независимые Каналы | 1 |
| Ток выходной макс., мин. | 6.8mA, 6.8mA |
| Напряжение питания источника | Dual Supply |
| Напряжение питания | 3 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 16-SOIC N |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSH201.215 | NXP | 133 | 21.00 | |||||
| BSH201.215 |
|
|
||||||
| BSH201.215 | NEX-NXP |
|
|
|||||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ONS |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор |
|
18.40 | |||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMIC |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | VBSEMI | 2 014 | 3.23 | ||
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс | 46 | 59.20 | ||
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс | ФОТОН |
|
|
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс | СЗТП | 8 | 196.56 | |
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
|
| КТ230А9 | КРЕМНИЙ | 840 | 18.90 | |||||
| КТ230А9 | БРЯНСК | 8 538 | 2.10 | |||||
| КТ230А9 |
|
|
||||||
| КТ233А9 | КРЕМНИЙ | 800 | 18.90 | |||||
| КТ233А9 | БРЯНСК |
|
|
|||||
| КТ233А9 |
|
|