| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DC COMPONENTS
|
130 456
|
4.12
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DIOTEC
|
510
|
1.65
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIC
|
4
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
5 698
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
|
55 738
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SUNTAN
|
170
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PANJIT
|
22
|
1.15
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ЛЕНТА/КАТУШКА
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
WUXI XUYANG
|
5 644
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SEMTECH
|
12 132
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
6
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
DC COMPONENTS
|
56
|
2.95
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
-
|
40
|
9.70
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
NXP
|
6 070
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
KINGTRON
|
848
|
1.02
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
EIC
|
293
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
KEEN SIDE
|
17 504
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
NXP(PHILIPS)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V8 |
|
|
367
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
DC COMPONENTS
|
126 244
|
3.35
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
ARK
|
30 034
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
NEXPERIA
|
2 524
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
KEEN SIDE
|
12 112
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
3155
|
|
|
|
|
|
BZV55-C7V5 |
|
Стабилитрон для SMD монтажа 7.5В, 1мА, 15Ом
|
37543
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
|
|
18.40
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор
|
VBSEMI
|
6 088
|
6.10
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
22 466
|
44.64
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 360
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|