|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип выхода | Transistor |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Напряжение выходное | 70V |
| Current Transfer Ratio (Max) | 200% @ 10mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 34% @ 1mA |
| Voltage - Isolation | 4000Vrms |
| Тип входа | DC |
| Количество каналов | 2 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Transistor |
|
ILD2xxT Optocoupler, Phototransistor Output, Dual Channel, SOIC-8 package Также в этом файле: ILD207T
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 - 5.1 КОМ 1% RC0603FR-075K1L (RS-03K512FT) (RS-03K5101FT) | FENGHUA |
|
|
|||||
|
|
|
112J-TDAR-R |
|
Слот - держатель карты SD, SMD, с выталкивателем | ATTEND |
|
|
|
|
|
|
112J-TDAR-R |
|
Слот - держатель карты SD, SMD, с выталкивателем |
|
|
||
| GRM1555C1H180JA01D | MUR | 241 428 |
0.55 >1000 шт. 0.11 |
|||||
| GRM1555C1H180JA01D | MURATA | 4 400 | 1.03 | |||||
| GRM1555C1H180JA01D | MURATA | 53 332 |
|
|||||
| GRM1555C1H180JA01D |
|
|
||||||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН |
|
152.00 | |||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | ONS |
|
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | 4-7 НЕДЕЛЬ | 200 |
|
||
| RC0603JR-076K2L | YAGEO | 186 203 |
0.60 >1000 шт. 0.12 |
|||||
| RC0603JR-076K2L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603JR-076K2L |
|
|