|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch
|
|
4 000
|
8.66
|
|
|
|
74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
688
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 607
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
25 744
|
1.89
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
120
|
1.45
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
465 504
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
660 860
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
123 526
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
139 764
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
240
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
MURATA
|
2 560
|
1.03
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
|
|
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
MUR
|
73 706
|
0.72
>500 шт. 0.24
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILAB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
|
499
|
187.43
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
2 416
|
309.96
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLAB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
5 587
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
Silicon Laboratories Inc
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICONLABS
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
1
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
330
|
|
|
|
|
PLLD1.27-10A |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
PLLD1.27-10A |
|
|
|
|
|
|