|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch
|
|
4 000
|
8.56
|
|
|
|
74HC595D.118 |
|
8Bit Shift Reg/Outp Latch
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
688
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 615
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
9 174
|
1.86
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
200
|
1.43
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 327
|
1.31
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
924 692
|
1.10
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
674 910
|
1.13
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
135 526
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
176 388
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
MURATA
|
24 647
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
|
|
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
MUR
|
74 114
|
0.81
>500 шт. 0.27
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM15AG221SN1D |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILAB
|
15 647
|
216.86
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
|
2 111
|
191.63
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
2 416
|
247.97
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLAB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
5 587
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
Silicon Laboratories Inc
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICONLABS
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
1
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
330
|
|
|
|
|
PLLD1.27-10A |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
PLLD1.27-10A |
|
|
|
|
|
|