ERA-3SM+

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ERA-3SM+ (4-7 НЕДЕЛЬ)	451	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ACS713ELCTR-30A-T		ALLEGRO	7	424.00
ACS713ELCTR-30A-T				646.44
ACS713ELCTR-30A-T		Allegro Microsystems Inc
ACS713ELCTR-30A-T		ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
ACS713ELCTR-30A-T		4-7 НЕДЕЛЬ	492
ACS713ELCTR-30A-T		10
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
LM5111-3M		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5111-3M		NSC
LM5111-3M				133.28
LM5111-3M		TEXAS INSTRUMENTS
LM5111-3M		4-7 НЕДЕЛЬ	732
UA78L05ACPK	Стабилизатор напряжения +5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	16 180	16.78
UA78L05ACPK	Стабилизатор напряжения +5V 0,1A			15.88
UA78L05ACPK	Стабилизатор напряжения +5V 0,1A	TEXAS
UA78L05ACPK	Стабилизатор напряжения +5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	1
UA78L05ACPK	Стабилизатор напряжения +5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	257
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		614	32.02
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	26.55
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	40.28
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 332	16.96
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249