|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BCP51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
440
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
JSCJ
|
4 173
|
5.52
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
|
|
8.80
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
NXP
|
3 200
|
5.33
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
HOTTECH
|
1 591
|
7.73
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
SHIKUES
|
7 428
|
6.05
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
ON SEMICONDUCTOR
|
501
|
36.36
|
|
|
|
ERA-3SM+ |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
ERA-3SM+ |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
ERA-3SM+ |
|
|
MINICIR
|
|
|
|
|
|
ERA-3SM+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
ERA-3SM+ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
451
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
1 141
|
32.02
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
24.57
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
3 192
|
39.90
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 399
|
16.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
1 577
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
28.35
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 555
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 936
|
16.80
|
|