AO3407A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
AO3407A (AOS)	15	6.98
AO3407A	6 872	2.49
AO3407A (YOUTAI)	20 617	2.68
AO3407A (UMW)	44	3.10

MOSFET P-CH -30V -4.3A SOT23

Версия для печати

Технические характеристики AO3407A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 4.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	830pF @ 15V
Power - Max	1.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AO3407A datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FSGM300N		Fairchild Semiconductor
FSGM300N		FSC1
FSGM300N
FSGM300N		FSC
FSGM300N		ONS
FSGM300N		4-7 НЕДЕЛЬ	533
L6590 (N)		ST MICROELECTRONICS
L6590 (N)				139.76
L6590 (N)		СИНГАПУР
L6590 (N)		ST1
L6590 (N)		4-7 НЕДЕЛЬ	44
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS	1	187.58
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	196.56
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	4-7 НЕДЕЛЬ	191
PBHV9040Z		NXP
PBHV9040Z
STRA6259H		SANKEN
STRA6259H		SK
STRA6259H			1	219.24
STRA6259H		4-7 НЕДЕЛЬ	568