Версия для печати
Технические характеристики FSGM300N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	FPS™
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	61kHz ~ 73kHz
Напряжение входное	13 V ~ 22.5 V
Напряжение выходное	650V
Мощность (Ватт)	40W
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-DIP

FSGM300N datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	SANYO
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц		592	91.55
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	SAN
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	ISCSEMI
		2SC5198+2SA1941 ПАРА		Транзисторы биполярные 2SC5198+2SA1941 ПАРА	TOS
		AO3407A			Alpha & Omega Semiconductor Inc
		AO3407A			AOS	203	13.37
		AO3407A				7 120	2.44
		AO3407A			A&O
		AO3407A			ALPHA & OMEGA
		AO3407A			YOUTAI	35 832	1.59
		AO3407A			UMW	520	3.10
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	196.56
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	4-7 НЕДЕЛЬ	191
		NCP1400ASN33T1G			ON SEMICONDUCTOR
		NCP1400ASN33T1G			ONS
		NCP1400ASN33T1G			ON SEMICONDUCTOR
		NCP1400ASN33T1G
		NCP1400ASN33T1G			ONSEMICONDUCTOR
		NCP1400ASN33T1G			4-7 НЕДЕЛЬ	334

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"