|
|
Версия для печати
| Тип входа | DC |
| Количество каналов | 1 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Корпус (размер) | 4-SMD (300 mil) |
| Тип выхода | Transistor |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Current - DC Forward (If) | 60mA |
| Напряжение выходное | 70V |
| Ток выходной / канал | 50mA |
| Current Transfer Ratio (Max) | 200% @ 10mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 34% @ 1mA |
| Voltage - Isolation | 5300Vrms |
| Output Type | Transistor |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW251210R0FKEG | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW251210R0FKEG | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| CRCW251210R0FKEG | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW251210R0FKEG |
|
|
||||||
| CRCW251210R0FKEG | VIS |
|
|
|||||
| EEUFR1V102 | PIE |
|
|
|||||
| EEUFR1V102 | PAN | 10 796 | 58.76 | |||||
| EEUFR1V102 |
|
|
||||||
| EEUFR1V102 | PAN IND |
|
|
|||||
| EEUFR1V102 | PANASONIC |
|
|
|||||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ONS | 190 | 9.00 | ||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор |
|
18.40 | |||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMIC |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | VBSEMI | 6 538 | 3.49 | ||
| RT33L012 | TE Connectivity |
|
|
|||||
| RT33L012 | TYCO |
|
|
|||||
| RT33L012 |
|
|
||||||
| RT33L012 | TE |
|
|
|||||
| К15-5 3 КВ 150ПФ Н20 |
|
|