| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
11 217
|
7.95
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 200
|
3.63
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
672
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
1 932
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
|
6.68
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
53 342
|
0.55
>1000 шт. 0.11
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.08
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
712
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
40
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
5725
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
RUME
|
23 200
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SLKOR
|
1 520
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
AD8041AR |
|
Операционный усилитель бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8041AR |
|
Операционный усилитель бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 ...
|
|
|
378.92
|
|
|
|
AD8041AR |
|
Операционный усилитель бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8041AR |
|
Операционный усилитель бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
561
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
|
1 036
|
12.95
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YT
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YJ
|
56 686
|
1.09
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
HOTTECH
|
98 678
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
KINGTRONICS
|
22
|
1.11
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
SUNTAN
|
52
|
2.63
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YANGJIE
|
8 000
|
1.16
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
LGE
|
2 880
|
2.07
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
64
|
5.24
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
RUME
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
MDD
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
TRR
|
11 200
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
28
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
3840
|
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
CDIL
|
128
|
6.02
|
|
|
|
|
MMBD352LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBD352LT1G |
|
|
|
|
37.20
|
|
|
|
|
MMBD352LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 624
|
|
|
|
|
|
MMBD352LT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
PWR
|
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
PI
|
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
|
|
222.92
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
|
TOP223G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
499
|
|
|