Версия для печати
Технические характеристики MMBD352LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Schottky - 1 Pair Series Connection
Voltage - Peak Reverse (Max)	7V
Capacitance @ Vr, F	1pF @ 0V, 1MHz
Мощность рассеивания (макс.)	225mW
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change 08/Jun/2009

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

ВЧ диоды

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ERA-5SM			MINI CIRCUITS
		ERA-5SM			MINICIR
		ERA-5SM					1 040.00
		ERA-5SM			MINI CIRCUITS
		ERA-5SM			4-7 НЕДЕЛЬ	215
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...			40.56
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA	17
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMicroelectronics
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	США
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ИНДИЯ
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRO
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMI/FAIRCH
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ONSEMICONDUCTOR
		MMBD7000LT1			ON SEMICONDUCTOR
		MMBD7000LT1			INFINEON
		MMBD7000LT1			MOTOROLA
		MMBD7000LT1			MOTOROLA	52
		MMBD7000LT1			ON SEMICONDUCTOR	3 265
		MMBD7000LT1			Infineon Technologies
		MMBD7000LT1			INFINEON	2 084
		TOP223G			PWR
		TOP223G			PI
		TOP223G					222.92
		TOP223G			Power Integrations
		TOP223G			4-7 НЕДЕЛЬ	499
		КР1171СП28				13	67.53
		КР1171СП28			ДАЛЕКС	162	154.50
		КР1171СП28			АЛЕКСАНДРОВ	842	127.20
		КР1171СП28			МИНСК
		КР1171СП28			АЛЕКСАНДПОВ
		КР1171СП28			1460

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"