BC847BS
Транзистор NPN сдвоенный (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Корпус | SC-70-6 |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 210mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BC847BS Npn General Purpose Double Transistor
Производитель:
|
