Версия для печати
Технические характеристики BC847BPN

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	300mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

BC847BPN (Универсальные биполярные транзисторы) NPN / PNP general purpose transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BC847BPN datasheet 51.4Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA169PV-8AU		ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	ATMEL
		ATMEGA169PV-8AU		ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V
		ATMEGA169PV-8AU		ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	ATMEL CORPORATION
		ATMEGA169PV-8AU		ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	США
		ATMEGA169PV-8AU		ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATMEGA169PV-8AU		ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	MICRO CHIP
		ATMEGA169PV-8AU		ИМС Микропроцессор 1.8-5.5V	4-7 НЕДЕЛЬ	752
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)		61 971	1.12
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	800	7.56
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	INFINEON
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MCC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY	8 313	1.16
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	OTHER	12 800
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	1 424
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ONS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP	7 139
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YJ	485 312	1.17
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY ME
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	262 778	1.60
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	LRC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	KLS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PANJIT
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SEMTECH	4	2.70
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YOUTAI	40 464	1.88  >100 шт.   0.94
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ZH
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	9 506	1.72
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ASEMI
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	TRR
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YIXING
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	1
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SUNTAN	495 748	1.02
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHIKUES	12 164	1.67
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		74 911	1.12
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	7.56
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	28 182	2.04
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	40	5.67
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	33 661	2.54
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	1 370 175	1.60
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	1 691 932	1.20
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	101	1.72
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	1 365 559	1.96  >100 шт.   0.98
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		CD74HC123PW			Texas Instruments
		CD74HC123PW
		CD74HC123PW			TEXAS INSTRUMENTS	52
		CD74HC123PW			TEXAS
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	ON SEMICONDUCTOR
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	TEXAS INSTRUMENTS
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C		1 405	20.95
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	TEXAS	2 137	40.22
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	TEXASINSTRUMENTS
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	YOUTAI	27 309	6.85
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	UMW-YOUTAI
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	UMW	6 640	12.40
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	1
		MC34063ADR		ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C	4-7 НЕДЕЛЬ	628

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"