BPI-3C1-07

П образный фото датчик для счёта объектов (U=5V , t=-25.85)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BPI-3C1-07 (BRI)	142	92.68

Версия для печати

Технические характеристики BPI-3C1-07

Производитель	Bright-Led Electronics Corp
Количество в упаковке	250 шт.
Вес	0.651 г
Тип работы	Прерывающий
Количество светодиодов	1 шт.
Длина волны	940 нм
Тип монтажа	PIN
Корпус (размер)	SD-15
Размер	14.0x6.1x10.0 мм
Рабочая температура	-40...85 °C
Температура хранения	-40...100 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MC33035P	Контроллер бесколл. двигателя (Vcc=10-30V, внешн. MOSFET-ключи, -40 to +85C)	ON SEMICONDUCTOR
MC33035P	Контроллер бесколл. двигателя (Vcc=10-30V, внешн. MOSFET-ключи, -40 to +85C)
MC33035P	Контроллер бесколл. двигателя (Vcc=10-30V, внешн. MOSFET-ключи, -40 to +85C)	4-7 НЕДЕЛЬ	502
MC7918CT		FAIR
MC7918CT		FAIRCHILD
MC7918CT		FAIRCHILD
MC7918CT				235.20
MC7918CT		4-7 НЕДЕЛЬ	61
ДХК-0.5А
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		80	11.52
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	400	32.79
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	120	21.20
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 186	33.92
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	31985
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	44836
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А		1 058	27.60
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	КРЕМНИЙ	800	32.79
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	БРЯНСК	5 260	44.52
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	МИНСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	УЛЬЯНОВСК
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	ИНТЕГРАЛ
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	1749
КТ815В	Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А	5000