IRF4905PBF

Полевые транзисторы HEXFETs  (irf4905) – это пятое поколение  полупроводниковых компонентов этого типа. Изделие разработано с использованием DMOS технологии и имеет чрезвычайно малое сопротивление на единицу площади используемого кремния. Транзистор (irf4905) обладает низким сопротивлением во включенном состоянии, что обеспечивает высокую переключающую способность. Изделие применяется при малых токах и низких напряжениях: в аппаратуре связи, в драйверах  и в других электронных устройствах. Данные HEXFET транзисторы чрезвычайно эффективны и надежны для использования в широком спектре приложений.
Особенности
Ультра малое сопротивление
Динамический уровень DV / DT
Рабочая температура 175 ° C
Быстрое переключение
Краткое описание
MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB
Соответствие директиве RoHS Да
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Полевые транзисторы
Серия HEXFET®FET тип MOSFET, P-канальные, Металлооксидные
FET функции Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 38A, 10V
Сток напряжения  (Vdss) 55V
Ток утечки  (Id) @ 25° C 74A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) @ Vds 3400pF @ 25V
Мощность, макс. 200W
Монтажный тип Сквозное отверстие