| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
1206-Y5V-0.10UF +80% -20% 50V |
|
Керамический конденсатор 1206, 0.10мкФ, 50 В, 20%, Y5V
|
KOME
|
|
|
|
|
|
|
1206-Y5V-0.10UF +80% -20% 50V |
|
Керамический конденсатор 1206, 0.10мкФ, 50 В, 20%, Y5V
|
|
|
1.72
|
|
 |
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
INFINEON
|
3 760
|
34.10
|
|
|
|
|
IRF3205PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
|
|
3 600
|
23.80
|
|
|
|
|
ULN2803ADWR |
|
Периферийный драйвер, выходов: 8; Iout.max: 500 мА; Uout.max: 50 В; Задержка: 130 нс; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
208
|
330.62
|
|
|
|
|
ULN2803ADWR |
|
Периферийный драйвер, выходов: 8; Iout.max: 500 мА; Uout.max: 50 В; Задержка: 130 нс; ...
|
|
|
48.00
|
|
|
|
|
ULN2803ADWR |
|
Периферийный драйвер, выходов: 8; Iout.max: 500 мА; Uout.max: 50 В; Задержка: 130 нс; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
7 123
|
|
|
|
|
|
ULN2803ADWR |
|
Периферийный драйвер, выходов: 8; Iout.max: 500 мА; Uout.max: 50 В; Задержка: 130 нс; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803ADWR |
|
Периферийный драйвер, выходов: 8; Iout.max: 500 мА; Uout.max: 50 В; Задержка: 130 нс; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803ADWR |
|
Периферийный драйвер, выходов: 8; Iout.max: 500 мА; Uout.max: 50 В; Задержка: 130 нс; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
701
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
800
|
28.70
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
30.24
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
61 456
|
33.60
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
31985
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
44836
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 200K 1% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
Версия для печати
