IRF3205PBF

Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A корпус TO-220AB

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF3205PBF (INFINEON)	27 992	33.83
IRF3205PBF	1 680	26.89

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики S,мА/В 44000
Корпус TO220AB
Пороговое напряжение на затворе 4

Версия для печати

Технические характеристики IRF3205PBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	110A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 62A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	146nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3247pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3205PBF

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF3205PBF datasheet
176.88Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2	44.10
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	10 497	21.34
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	844	10.26
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 756	8.23
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.55
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS	4 697	24.25
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц		1 568	8.09
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	STMICROELECTRONICS
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MCC
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON Semiconductor
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTR
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON SEMIC
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS SEMIC
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST1
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRO
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	МИНСК
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	NXP
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MULTICOMP
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	CJ
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	HOTTECH
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	TRR
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	JSCJ	549	8.41
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	28	44.15
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		1 416	24.52
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	1 775	27.99
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIR
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	VISHAY
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	Vishay/Siliconix
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	КИТАЙ
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А		464	118.74
КЦ106Г	Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА		183	125.12
КЦ106Г	Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА	ФОТОН
КЦ106Г	Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА	СЗТП	8	120.96
КЦ106Г	Столбы из диффузионных диодов, выпрямительные 20кГЦ, 10000В,3,5мкс, 10мА	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

IRF3205PBF

Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A корпус TO-220AB

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: