| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
10A10 (10A,1000В) R-6 ДИОД HOTTECH |
|
|
|
|
|
|
 |
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
|
207
|
37.20
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
61.68
|
|
|
|
|
КТ817Г9 |
|
|
|
15
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ817Г9 |
|
|
|
15
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ817Г9 |
|
|
МИНСК
|
1 425
|
62.65
|
|
|
|
|
КТ817Г9 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
26
|
41.38
|
|
|
|
|
КТ817Г9 |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г9 |
|
|
1003
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г9 |
|
|
779
|
|
|
|
|
|
 |
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
394
|
26.04
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
74
|
30.79
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
53.09
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
396
|
14.32
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
97
|
12.16
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
122
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
|
3
|
55.80
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ИНТЕГРАЛ
|
192
|
144.65
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
