| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
|
1 336
|
35.15
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
ПРОТОН
|
234
|
113.65
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
|
|
46.08
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
|
124
|
27.75
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
61.68
|
|
|
|
|
КР1533ТЛ2 |
|
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, ...
|
|
|
52.80
|
|
|
|
|
КР1533ТЛ2 |
|
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ТЛ2 |
|
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ТЛ2 |
|
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
392
|
165.31
|
|
|
|
|
КР1533ТЛ2 |
|
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ТЛ2 |
|
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
947
|
16.65
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
154
|
36.46
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
476
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
53.09
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
109
|
19.07
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|
Версия для печати
