| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
|
|
32.56
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LGE
|
11 665
|
1.84
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH/NXP
|
32
|
29.04
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LUGUANG
|
6 917
|
1.73
|
|
|
|
|
CRA2512-FZ-R050ELF |
|
Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
CRA2512-FZ-R050ELF |
|
Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
CRA2512-FZ-R050ELF |
|
Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт
|
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
|
1
|
189.00
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|
|
|
|
PBSS5350T.215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PBSS5350T.215 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
PBSS5350T.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PBSS5350T.215 |
|
|
JSMICRO
|
55 384
|
2.35
|
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
VISHAY
|
5 714
|
20.73
|
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
|
2 024
|
18.36
|
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
KLS
|
|
|
|
Версия для печати
