IRLR3110Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLR3110Z		326.40

Версия для печати

Технические характеристики IRLR3110Z

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3980pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	48nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	42A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 38A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	140W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR3110ZPBF (Полевые МОП транзисторы)

Automotive Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLR3110Z datasheet
735.88Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECASD40J107M015K00		Murata Electronics North America
ECASD40J107M015K00		MUR	6 077	20.64
ECASD40J107M015K00
ECASD40J107M015K00		MURATA	8	47.53
MBR120VLSFT1G		ON SEMICONDUCTOR
MBR120VLSFT1G		ON SEMICONDUCTOR
MBR120VLSFT1G		ONS
MBR120VLSFT1G
PBSS4350T,215		NXP Semiconductors
PBSS4350T,215		NEX
PBSS4350T,215
PBSS5350T.215		NXP
PBSS5350T.215		NEX-NXP
PBSS5350T.215
PBSS5350T.215		JSMICRO	41 580	2.55
PBSS5350T.215		NEXPERIA
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		8	529.20
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS	192	448.40
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMICROELECTR