IRLR3110Z
|
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 38A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR3110ZPBF (Полевые МОП транзисторы) Automotive Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
CRA2512-FZ-R050ELF |
|
Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
CRA2512-FZ-R050ELF |
|
Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт | Bourns Inc |
|
|
|
|
|
|
CRA2512-FZ-R050ELF |
|
Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт |
|
|
||
| RT0603BRD0710KL | YAGEO | 188 628 | 1.17 | |||||
| RT0603BRD0710KL | YAGEO | 3 076 |
|
|||||
| RT0603BRD0710KL |
|
|
||||||
| RT0603BRD0720KL | YAGEO | 53 336 | 1.19 | |||||
| RT0603BRD0720KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RT0603BRD0720KL |
|
|
||||||
 |
|
RT0603BRD074K7L |
|
Yageo | 22 851 | 1.81 | ||
|
|
|
RT0603BRD074K7L |
|
|
|
|||
 |
|
RT0805BRE0730K1L |
|
Yageo |
|
|
||
|
|
|
RT0805BRE0730K1L |
|
|
|
