VS-40EPF06PBF

Версия для печати

Технические характеристики VS-40EPF06PBF

Производитель	VISHAY
Количество в упаковке	25 шт.
Вес	7.160 г
Bag Type	600 В
Tape Width - Max	1 x 40 А
Bushing Thread	180 нс
Число шагов	1.25 В
Technology	1
Корпус (размер)	TO-247AC
Рабочая температура	-40...150 °C
	Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 40 A

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BUX98A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000В, 30A, 250Вт	ST MICROELECTRONICS
BUX98A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000В, 30A, 250Вт			544.76
BUX98A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000В, 30A, 250Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI
BUX98A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000В, 30A, 250Вт	STMicroelectronics
BUX98A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000В, 30A, 250Вт	МАЛАЙЗИЯ
BUX98A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000В, 30A, 250Вт	ST1
BUX98A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000В, 30A, 250Вт	MOTOROLA
BUX98A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000В, 30A, 250Вт	ISC	184	395.31
IRFP250MPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP250MPBF		INFINEON
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIR
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FSC
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	Fairchild Optoelectronics Group
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ГОНКОНГ
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS	4	60.32
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS-FAIR
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...		1 776	40.66
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ON SEMICONDUCTOR	4	37.56
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	0.00
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	YOUTAI	1 799	11.09
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW
MOC3083M	Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW-YOUTAI
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	STMicroelectronics
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet		17	293.42
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet		17	293.42
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRO
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI	1 200
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		366	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	800	32.79
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	1 483	38.16
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2159