0,0033МКФ 100В 10% (6Х10,5Х3,5) Р=3,5 CL11 ПОЛИСТ.ПЛЕН.КОНДЕНСАТОР

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
298ФН8			80	192.78
298ФН8		РОДОН
2SC3502E	NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz (Comp. 2SA1380)	SANYO
2SC3502E	NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz (Comp. 2SA1380)
2SC3502E	NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz (Comp. 2SA1380)	SAN
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	Analog Devices Inc
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	4-7 НЕДЕЛЬ	584
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	ON SEMICONDUCTOR	52	24.57
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA			19.48
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	UTC
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	OTHER	83
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	ONS
MCR100-6	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	CJ
К298ФН8				283.80