| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
134 240
|
2.10
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
3 573
|
2.84
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
128
|
2.57
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
DC COMPONENTS
|
482
|
1.51
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
|
3 468
|
2.58
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
8 048
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NEXPERIA
|
8
|
1.80
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
1 351
|
2.10
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
HOTTECH
|
1 071
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
YJ
|
422 134
|
1.09
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
JSCJ
|
24 784
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
DC COMPONENTS
|
15 284
|
3.90
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
384
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
|
14 560
|
3.00
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LTL
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MICROSEMI
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TSC
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
BRIGHTKING
|
29
|
7.74
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
WAYON
|
56
|
10.92
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
JJM
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
HOTTECH
|
23 715
|
4.26
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
YJ
|
33 284
|
2.35
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
1
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
OLITECH
|
614
|
2.83
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TRR
|
16 400
|
2.51
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
KEEN SIDE
|
13 772
|
2.58
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
10 337
|
12.40
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
|
|
15.00
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
161
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
408
|
|
|
|
|
|
TPS76150DBVR |
|
|
|
|
129.60
|
|
|
|
|
TPS76150DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1
|
105.00
|
|
|
|
|
TPS76150DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPS76150DBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TPS76150DBVR |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
TPS76150DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
566
|
|
|