FKP2O100331D00JSSD
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2712 GR | TOS | 6 680 | 3.56 | |||||
| 2SC2712 GR |
|
|
||||||
 |
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS | 4 241 | 75.07 | ||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... |
|
|
|||
 |
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | BOURNS | 2 842 | 134.46 | ||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм |
|
332.00 | |||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NEX | 3 948 | 6.39 | |||||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 | NEX | 1 968 | 20.18 | |||||
| BAS45AL,115 |
|
|
