| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-NP0-100-2.2ПФC |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
0805-NP0-100-2.2ПФC |
|
|
HITANO
|
|
|
|
|
|
|
0805-NP0-100-2.2ПФC |
|
|
TDK (EPCOS)
|
|
|
|
|
|
|
7815 (MA7812) 15V 3A |
|
|
TESLA
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
|
11 925
|
2.87
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
SUNMATE
|
12 759
|
2.54
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
304
|
3.44
|
|
|
|
АОТ110Г |
|
Оптопара транзисторная из излучающего диода на основе соединения ...
|
|
1
|
277.50
|
|
|
|
АОТ110Г |
|
Оптопара транзисторная из излучающего диода на основе соединения ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
АОТ110Г |
|
Оптопара транзисторная из излучающего диода на основе соединения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
|
982
|
160.08
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
НЗПП
|
496
|
76.46
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
11
|
82.45
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
RUS
|
|
|
|