|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2712 GR | TOS |
|
|
|||||
| 2SC2712 GR |
|
|
||||||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS | 800 | 134.32 | ||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... |
|
|
|||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм |
|
332.00 | |||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NEX |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| FKP2O100331D00JSSD | WIM |
|
|
|||||
| FKP2O100331D00JSSD |
|
|