MMBT3906,215
|
TRANS PNP 40V 200MA SOT23 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS | 360 | 123.98 | ||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... |
|
|
|||
 |
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм |
|
332.00 | |||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NEX |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 | NEX |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 |
|
|
||||||
| FKP2O100331D00JSSD | WIM |
|
|
|||||
| FKP2O100331D00JSSD |
|
|
