КТ8115Б

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ8115Б		63.36
КТ8115Б (ИНТЕГРАЛ)	52	60.48

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FAIR
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ST MICROELECTRONICS
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ON SEMICONDUCTOR
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FSC
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W			28.44
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FAIRCHILD
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FAIRCHILD
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ON SEMICONDUCTOR	736
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ST MICROELECTRONICS SEMI	15
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	STMicroelectronics
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	Fairchild Semiconductor
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	MOTOROLA	72
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	РМС

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ		165	4.42
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	АЛЕКСАНДРОВ	1 520	4.20
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	RUS
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	ЭЛЕКС	968	11.34
КП302БМ			1	185.00
КП302БМ		ВИННИЦА
КП302БМ		ПУЛЬСАР
КП302БМ		RUS
КП302БМ		ОКТЯБРЬ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		2 906	37.80
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН	696	123.98
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕСАНДРОВ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	RUS
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			72.00
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ503Д			1 777	12.33
КТ503Д		КРЕМНИЙ	2 254	17.21
КТ503Д		МИНСК	64	14.70
КТ503Д		АЛЕКСАНДРОВ
КТ503Д		БРЯНСК	4 000	17.43
КТ503Д		НАЛЬЧИК
КТ503Д		ИНТЕГРАЛ	826	12.47
КТ503Д		ЭЛЕКС	38	74.39