| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
0805 X7R 0.1UF 50V 10% (К10-17 0.1МКФ) |
|
Конденсатор чип 50В, 0,1мкФ, 10%, X7R
|
|
|
|
|
 |
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
|
90
|
15.12
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
649
|
4.24
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
ЭЛЕКС
|
913
|
12.49
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
1250
|
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
22
|
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
230
|
|
|
|
|
|
|
КН 102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
|
|
|
|
|
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ...
|
|
1 405
|
37.48
|
|
|
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
1 085.31
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
|
18
|
340.20
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
8
|
527.04
|
|
Версия для печати
