Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BDX64

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ		132	15.12
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	АЛЕКСАНДРОВ	1 201	4.20
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	RUS
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	ЭЛЕКС	913	12.49
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	1250
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	22
		1Д507А		Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	230
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	VISHAY
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	LIT
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	FAIR
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	MOTOROLA
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	Lite-On Inc
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	Vishay/Semiconductors
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	Fairchild Optoelectronics Group
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	FAIRCHILD
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	VISHAY
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	TFK
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%		186	37.00
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	EVL
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	QTC	64	31.50
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	LITE-ON
		4N26		Опто транзистор 1 канальный Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 20%	1
		АЛ307ЖМ		Светодиод желтый круглый 5мм, 693нм, 2.5В, 30град	ПЛАНЕТА
		АЛ307ЖМ		Светодиод желтый круглый 5мм, 693нм, 2.5В, 30град		2 013	41.95
		АЛ307ЖМ		Светодиод желтый круглый 5мм, 693нм, 2.5В, 30град	ПЛАНЕТА СИД
		АЛ307ЖМ		Светодиод желтый круглый 5мм, 693нм, 2.5В, 30град	ПЛАНЕТА-СИД
		АЛ307ЖМ		Светодиод желтый круглый 5мм, 693нм, 2.5В, 30град	СТАРТ
		КН 102А		Отечественный динистор (диодный тиристор).
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	КРЕМНИЙ	8	1 085.31
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN		21	340.20
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ФРЯЗИНО
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	8	527.04

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"