|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
|
156
|
4.42
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
1 200
|
4.20
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
ЭЛЕКС
|
968
|
11.34
|
|
|
|
К521СА3А |
|
|
|
|
113.52
|
|
|
|
К521СА3А |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КН 102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
КРЕМНИЙ
|
26
|
1 001.70
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
|
25
|
226.80
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ФРЯЗИНО
|
2
|
168.00
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
8
|
487.62
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
9 518
|
37.80
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|