IRFB4110PBF
Транзистор N-Канальный 100V 180A 370W 0,0045R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9620pF @ 50V |
| Power - Max | 370W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB4110PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | TWN |
|
|
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | TY | 3 902 |
1.86 >100 шт. 0.93 |
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | 4978 |
|
|
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | 4878 |
|
|
|||||
| 0603 4.7UF 35V X5R 10% GRM188R6YA475KE15D | MUR |
|
|
|||||
| 0603CG200J500NT | FENGHUA |
|
|
|||||
| 0603CG200J500NT | FNR | 78 284 |
0.80 >1000 шт. 0.16 |
|||||
| B82472G6103M000 | EPCOS |
|
|
|||||
| B82472G6103M000 | TDK-EPC |
|
|
|||||
| B82472G6103M000 |
|
|
||||||
| B82472G6103M000 | TDK | 2 041 | 83.25 | |||||
| IHLP6767GZER100M01 (10UH 16,5A) | 80 |
|
