|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 713
|
24.54
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
|
2 224
|
8.09
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
JSCJ
|
562
|
8.25
|
|
|
|
IRF7343PBF |
|
Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7343PBF |
|
Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1 006
|
|
|
|
|
IRF7343PBF |
|
Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7343PBF |
|
Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...
|
|
4
|
|
|
|
|
MURS120T3 |
|
SMB
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MURS120T3 |
|
SMB
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MURS120T3 |
|
SMB
|
|
112
|
11.04
|
|
|
|
MURS120T3 |
|
SMB
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MURS120T3 |
|
SMB
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
SK063M2200B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SK063M2200B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SK063M2200B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.01 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 100 В
|
|
|
7.36
|
|
|
|
К73-17-100-0.01 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 100 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.01 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 100 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|