|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AP4511GED | APEC |
|
|
|||||
| AP4511GED |
|
244.96 | ||||||
| AP4511GED |
|
244.96 | ||||||
| AP4511GED | 4-7 НЕДЕЛЬ | 641 |
|
|||||
|
|
IRF7306PBF |
|
Транзистор 2xP-канальный 30V 3,6A 2,0W 0,10R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRF7306PBF |
|
Транзистор 2xP-канальный 30V 3,6A 2,0W 0,10R |
|
|
|||
|
|
IRF7306PBF |
|
Транзистор 2xP-канальный 30V 3,6A 2,0W 0,10R | INFINEON |
|
|
||
|
|
IRF7306PBF |
|
Транзистор 2xP-канальный 30V 3,6A 2,0W 0,10R | VISHAY |
|
|
||
| LQH55DN100M03L |
|
Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) | CHINA |
|
|
|||
| LQH55DN100M03L |
|
Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) | MURATA |
|
|
|||
| LQH55DN100M03L |
|
Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) | MUR | 11 093 | 48.53 | |||
| LQH55DN100M03L |
|
Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) |
|
168.92 | ||||
| LQH55DN100M03L |
|
Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) | MURATA |
|
|
|||
| RK-1412G-A10K, 2 Х 10 КОМ | КИТАЙ |
|
|
|||||
| VLS6045EX-100M, 10 МКГН, 20% | TDK |
|
|