IRF7389TR
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.3A, 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
AP40T03GP |
|
Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт | APEC |
|
|
|
|
|
|
AP40T03GP |
|
Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт |
|
306.00 | ||
| FQP11P06 | FAIR |
|
|
|||||
| FQP11P06 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FQP11P06 | 1 | 396.90 | ||||||
| FQP11P06 | ONS |
|
|
|||||
| IRF7306TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7306TRPBF | INFINEON | 3 792 | 60.26 | |||||
| IRF7306TRPBF | 2 620 | 53.68 | ||||||
 |
|
IRF9630 |
|
Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF9630 |
|
Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRF9630 |
|
Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W | 1 154 | 39.39 | ||
|
|
|
IRF9630 |
|
Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF9630 |
|
Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF9630 |
|
Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W | 1 |
|
|
|
| STRA6259H | SANKEN |
|
|
|||||
| STRA6259H | SK |
|
|
|||||
| STRA6259H | 1 | 219.24 | ||||||
| STRA6259H | 4-7 НЕДЕЛЬ | 568 |
|
