|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
30CPQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 30A(2x15) | VISHAY |
|
|
||
|
|
30CPQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 30A(2x15) | Vishay/Semiconductors |
|
|
||
|
|
30CPQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 30A(2x15) | WUXI XUYANG |
|
|
||
| CM200S-32.768KHZ | CITIZEN |
|
|
|||||
|
|
|
KBPC5010 50A 1000V (MB5010) |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм | 1 870 | 81.48 | ||
| SDR1307-330KL | BOURNS | 66 | 54.93 | |||||
| SDR1307-330KL |
|
|
||||||
|
|
|
STW20NM60 |
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STW20NM60 |
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R | 3 | 203.50 | ||
|
|
|
STW20NM60 |
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STW20NM60 |
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R | ST MICROELECTRO |
|
|