|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
A3906SESTR-T |
|
Allegro Microsystems Inc |
|
|
||
|
|
|
A3906SESTR-T |
|
ALLEGRO |
|
|
||
|
|
|
A3906SESTR-T |
|
ALLEGRO |
|
|
||
|
|
|
A3906SESTR-T |
|
|
|
|||
|
|
|
A3906SESTR-T |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 664 |
|
||
|
|
|
IRF640S |
|
N-канальный 200В 18А | VISHAY | 4 | 94.50 | |
|
|
|
IRF640S |
|
N-канальный 200В 18А | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
IRF640S |
|
N-канальный 200В 18А | 1 | 112.14 | ||
|
|
|
IRF640S |
|
N-канальный 200В 18А | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF640S |
|
N-канальный 200В 18А | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRF640S |
|
N-канальный 200В 18А | 1 | 112.14 | ||
|
|
|
IRF640S |
|
N-канальный 200В 18А | INTERNATIONAL RECTIFIER | 181 | 94.50 | |
| LP2981-50DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 4 800 | 19.23 | |||||
| LP2981-50DBVR | 2 436 | 20.05 | ||||||
| LP2981-50DBVR | TEXAS |
|
|
|||||
| LP2981-50DBVR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 312 |
|
|||||
| ST207EBD | 1 | 127.65 | ||||||
| ST207EBD | 1 | 127.65 | ||||||
| ST207EBD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 787 |
|
|||||
|
|
|
ЭПСН 220В 25ВТ |
|
Паяльник жало медь нагр. элемент керамика 25Вт, 220В |
|
316.00 |