STW20NM60

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STW20NM60	3	203.50

Версия для печати

Технические характеристики STW20NM60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	192W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB20NM60 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-CHANNEL 600V - 0.25 Ohm - 20A TO-220 / FP / DР† / IР†PAK / TO-247 MDmeshTM MOSFET

Также в этом файле: STW20NM60

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STW20NM60 datasheet
356.74Kb
15стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFC233620104	Пленочный конденсатор 0.1 мкФ 630 В,20%, 105С	VISHAY	6	56.83
BFC233620104	Пленочный конденсатор 0.1 мкФ 630 В,20%, 105С
IRF530NSPBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.11 Ом, Id(25°C) = 17 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF530NSPBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.11 Ом, Id(25°C) = 17 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	20
IRF530NSPBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.11 Ом, Id(25°C) = 17 A	INFINEON
IRF530NSPBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.11 Ом, Id(25°C) = 17 A
KBPC5010 50A 1000V (MB5010)	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм		2 400	79.68
К50-68-25-1000	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В			28.28
К5068-25 330 МКФ 20%