| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DC COMPONENTS
|
6 494
|
1.11
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DIOTEC
|
45 600
|
1.46
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
|
2 704
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
8 101
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
11 428
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
JSCJ
|
13 149
|
3.35
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
SZOMK
|
2
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
3
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
|
20 076
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NXP
|
43
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHI
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
HOTTECH
|
60 136
|
1.44
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YJ
|
1 265 454
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
JSCJ
|
128 753
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
SUNTAN
|
590
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
KEEN SIDE
|
10 896
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YANGJIE
|
4
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.49
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
29 667
|
2.94
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
23 472
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
134 792
|
1.21
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
397 156
|
1.02
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
220
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
72 000
|
2.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
788
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
81
|
1.12
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
102 417
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
184 560
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
120 000
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
10 131
|
1.05
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
|
372
|
8.52
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
YOUTAI
|
1 965
|
15.04
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
TL331KDBVR |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
TL331KDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL331KDBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL331KDBVR |
|
|
|
2 240
|
22.35
|
|
|
|
TL331KDBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|