| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DC COMPONENTS
|
6 494
|
1.11
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DIOTEC
|
45 600
|
1.56
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
|
2 704
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
8 101
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
11 428
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
JSCJ
|
13 149
|
3.08
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
SZOMK
|
2
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
3
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
|
19 988
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NXP
|
43
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHI
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
HOTTECH
|
59 862
|
1.39
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YJ
|
1 128 068
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
JSCJ
|
128 348
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
SUNTAN
|
619
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
KEEN SIDE
|
10 896
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YANGJIE
|
4
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.49
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
29 616
|
2.89
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
23 472
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
109 589
|
1.12
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
383 336
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
220
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
86 384
|
2.67
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
857
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
79
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
92 817
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
184 560
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
120 000
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
10 131
|
1.03
|
|
|
|
|
LMR64010XMF/NOPB |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LMR64010XMF/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LMR64010XMF/NOPB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
433.94
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
|
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
32
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|