| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
B41851F5228M |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B41851F5228M |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
39 671
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
18 828
|
2.12
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 568
|
7.81
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
16 236
|
3.56
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
656
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
1
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
27 333
|
1.57
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
92 031
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
916
|
1.67
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
2 080
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PANJIT
|
13
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
89 240
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
172 800
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
110 536
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
61 711
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1373
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
23504
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
960
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
17 310
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
14700
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
13700
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
14 400
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ZH
|
38 400
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
WTE
|
7
|
16.29
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
DIODES INC.
|
393
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
348
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
356
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
|
6 188
|
3.28
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
6 503
|
5.17
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
3 804
|
3.71
|
|
|
|
|
IRF740APBF (MOSFET N-CH 400V 10A AB) |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
63.24
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
|
|
63.44
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|