Версия для печати
Технические характеристики FOD817ASD

Корпус (размер)	4-SMD
Тип монтажа	Поверхностный
Vce Saturation (Max)	100mV
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Тип входа	DC
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Количество каналов	1
Voltage - Isolation	5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min)	80% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Max)	160% @ 5mA
Напряжение выходное	70V
Тип выхода	Transistor
Output Type	Transistor

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B41851F5228M		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В	EPCOS
		B41851F5228M		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAI/QTC
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL INSTRUMENT
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	DIODES
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	WTE	7	15.75
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GALAXY
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	DIODES INC.	393
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD	348
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL INSTRUMENT
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	356
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Diodes Inc
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Vishay/Semiconductors
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	КИТАЙ
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FSC
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ON SEMI/FAIRCH
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONS	448	55.39
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)		8 343	3.91
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	HOTTECH	10 733	6.20
		MC33025DWG			ON SEMICONDUCTOR
		MC33025DWG			ONS	333	377.37
		MC33025DWG			ON SEMICONDUCTOR
		MC33025DWG				7	259.00
		MC33025DWG			4-7 НЕДЕЛЬ	542
		TL072IDR		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...			30.00
		TL072IDR		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		TL072IDR		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		TL072IDR		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	TEXAS	14 268	14.37
		TL072IDR		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	YOUTAI	5 846	8.86
		TL072IDR		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	148
		TL331KDBVR			Texas Instruments
		TL331KDBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		TL331KDBVR			TEXAS	3 860	29.11
		TL331KDBVR				2 280	21.99
		TL331KDBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	629

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"