TPS78625DCQ
|
|
Версия для печати
| Корпус | SOT-223-6 |
| Корпус (размер) | SOT-223-6 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Ток минимальный предел тока | 2.4A |
| Ток выходной | 1.5A (Max) |
| Число регуляторов | 1 |
| Напряжение входное | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Напряжение выходное | 2.5V |
| Топология регулятора | Positive Fixed |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C) | ONS | 735 | 2.52 | |||
| BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C) | ON SEMICONDUCTOR | 1 070 |
|
|||
| BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C) | ON SEMIC |
|
|
|||
| BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C) | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C) | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C) |
|
|
||||
| BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C) | LRC |
|
|
|||
| BCP69-16/T1 |
|
Транзистор биполярный SMD |
|
15.20 | ||||
| BCP69-16/T1 |
|
Транзистор биполярный SMD | NXP |
|
|
|||
| TPS78601DCQ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS78601DCQ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS78601DCQ |
|
|
||||||
| TPS78601DCQ | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS78601DCQ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 428 |
|
