BAS16LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BAS16LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 070	3-4 недели Цена по запросу
BAS16LT1G (ONS)	735	2.52

Версия для печати

Технические характеристики BAS16LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	75V
Current - Average Rectified (Io)	200mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 75V
Diode Type	Standard
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	6ns
Capacitance @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAT54CLT1G		ON SEMICONDUCTOR
BAT54CLT1G		ONS
BAT54CLT1G		ON SEMICONDUCTOR	27
BAT54CLT1G
BAT54SLT1G		NXP
BAT54SLT1G		ON SEMICONDUCTOR
BAT54SLT1G		ONS	21	2.95
BAT54SLT1G				10.00
BAT54SLT1G		ON SEMICONDUCTOR
BAT54SLT1G		ON SEMICONDUCTO
BAT54SLT1G		ONSEMICONDUCTOR
BAT54SLT1G		ONSEMI
IRFP460A	Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP460A	Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	VISHAY
IRFP460A	Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт		11	351.50
IRFP460A	Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	Vishay/Siliconix
IRFP460A	Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	КИТАЙ
IRFP460A	Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERSIL
IRFP460A	Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	1
IT-1181-180G-G		SWITRONIC	4 240	24.80
IT-1181-180G-G
IT-1181-180G-G		SWITR	12 051	19.56
SMAT-13-P10	Пьезоизлучатель без генератора 13мм	SONITRON
SMAT-13-P10	Пьезоизлучатель без генератора 13мм			220.80