Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	4 255	1.68
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	12 820	2.12
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	204	1.50
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		15 565	1.52  >100 шт.   0.76
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME	3 327	1.38
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	629 500	1.72  >100 шт.   0.86
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	691 441	1.28
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	2 644	1.52  >100 шт.   0.76
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	58 746	1.74  >100 шт.   0.87
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.02
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.42  >100 шт.   0.71
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PLINGSEMIC	156 000	1.54  >100 шт.   0.77
		LL4148-GS08		Диод, SOD80	VISHAY	207 981	1.60
		LL4148-GS08		Диод, SOD80	TELEFUNKEN
		LL4148-GS08		Диод, SOD80	TEMIC
		LL4148-GS08		Диод, SOD80		92 408	1.92  >100 шт.   0.96
		LL4148-GS08		Диод, SOD80	TELEFUNKEN	286
		LL4148-GS08		Диод, SOD80	TEMIC
		LL4148-GS08		Диод, SOD80	VISHAY	993
		LL4148-GS08		Диод, SOD80	TWN
		LL4148-GS08		Диод, SOD80	ТАЙВАНЬ
		LL4148-GS08		Диод, SOD80	1
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS	15 455	9.66
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ		4 200	6.48
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	STMICROELECTRONICS
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	Rohm Semiconductor
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	МАРОККО
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTR
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	STMICROELECTR
		LM324DT		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	4-7 НЕДЕЛЬ	268
		M24128-BWMN6TP		EEPROM ser 1,8..5,5V 128x8	ST MICROELECTRONICS	4 235	18.51
		M24128-BWMN6TP		EEPROM ser 1,8..5,5V 128x8
		M24128-BWMN6TP		EEPROM ser 1,8..5,5V 128x8	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M24128-BWMN6TP		EEPROM ser 1,8..5,5V 128x8	STMicroelectronics
		M24128-BWMN6TP		EEPROM ser 1,8..5,5V 128x8	4-7 НЕДЕЛЬ	396
		NE556N			NEC
		NE556N			ST MICROELECTRONICS	266	35.91
		NE556N					33.68
		NE556N			ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE556N			STMicroelectronics
		NE556N			Texas Instruments
		NE556N			TEXAS INSTRUMENTS	16
		NE556N			КИТАЙ
		NE556N			ST MICROELECTR
		NE556N			TEXAS	848	29.26
		NE556N			ST1
		NE556N			ST MICROELECTRO
		NE556N			TEXAS INSTRUMEN
		NE556N			4-7 НЕДЕЛЬ	422

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"