SS8550D
|
|
Версия для печати
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 80mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 1W |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SS8550D Plastic-Encapsulate Transistors PNP Silicon
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КТ6115В |
|
10.80 | ||||||
| КТ6115В | МИНСК |
|
|
|||||
| КТ6115В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|||||
| КТ6115В | РАДИОДЕТ |
|
|
